压力变送器

下面是本司关于压力变送器的设备信息简单陈述：

压力(表压) /肯定压力变送器，是以大气压(或真空)为参考端检验的压强信号，只有一个端口和工艺管道衔接。

作业原理：

硅单晶材料在遭到外力作用发生极微小应变时，其内部原子结构的电子能级状态会发生改变，从而导致其电阻率剧烈改变,这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，选用集成工艺技能经过掺杂、分散，沿单晶硅片上的特定晶向，制成应变电阻，构成惠斯通电桥，就制成了一个集力敏与力电转换检测于体的分散硅传感器。

当压力直接或直接的作用在检验硅片的外表，使膜片发生微小的形变，检验硅片形变的高精度电路将这个微小的形变变换成为与压力成正比的电压信号，经过温度压力补偿 ，然后选用专用芯片将这个电压信号转换为工业标准的4 -20mA电流信号或许1-5V电压信号。

由于检验膜片检测电路选用集成电路，内部包含线性及温度补偿电路，所以可以做到高精度和高稳定性，便利各种复杂的工业环境现场使用。

技能性能

检验对象:液体、气体或蒸汽

检验范围:见选型规格表

输出信号:4~ 20mA dc.输出，叠加HART协议数字信号(两线制)

电源:外部供电24V dc.，电源规模12V ~ 45V

危险场所装置:隔爆型ExdIIBT5Gb ;

本安型xillCT4/T5/T6Ga;

搬迁特性:在最小量程(量程压缩比为40:1)时，最大正搬迁零点是39/40倍的量程上限值，最大负搬迁零点可以是量程下限值，肯定压力变送器无负搬迁。  (不论输出方式如何，正负搬迁后,其量程上、下限均不得超越量程的极限)

温度规模:电子线路板作业在40 ~ 85°C ;灵敏元件作业在40~ 104°C ;储存温度作业在-40~85°C ;带数字显现作业在-25~75°C(运转) ; -40~85°C (无损坏)

相对湿度: 0~95%

超压极限:最大能接受2~ 10倍的量程变送器不损坏

容积改变量:小于0.16cm3

阻尼:时间常数在0.2 ~ 32.0s之间可调。

技能指标

精  度: ±0.1%，±0.075%

稳定性:最大量程规模的+0.2%/12个月

温度影响:包括零点和量程的温度差错为最大量程的+0.2%/20°C

电源影响:小于输出量程的0.005% /V。

振荡影响:在恣意轴向上,频率为200Hz，差错为最大量程规模的±0.05%/g.

负载影响:只要输入变送器的电压高于12V，在负载作业区内无负载影响。

装置位置影响:最大可发生不大于0.10kPa的位差错，可通过校正消除这个差错，对量程无影响。